IRFL210
Symbol Micros:
TIRFL210
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 960mA; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL210PBF; IRFL210TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 960mA |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFL210 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,3200 | 1,4700 | 1,1600 | 1,0600 | 1,0100 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFL210TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0100 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFL210TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0154 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 960mA |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |