IRFL4310
Symbol Micros:
TIRFL4310
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL4310TRPBF; IRFL4310PBF; IRFL4310PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFL4310TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,7200 | 1,4300 | 1,2700 | 1,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL4310TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
35000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL4310TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFL4310TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
Maksymalna tracona moc: | 2,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |