IRFL9014

Symbol Micros: TIRFL9014
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014PBF-GURT; IRFL9014TRPBF-BE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Maksymalna tracona moc: 3,1W
Obudowa: SOT223
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFL9014TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
72 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4900 1,5100 1,1600 1,0500 0,9970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
5000 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnętrzny:
5700 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-01-24
Ilość szt.: 2500
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,8A
Maksymalna tracona moc: 3,1W
Obudowa: SOT223
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta