IRFL9110
Symbol Micros:
TIRFL9110
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFL9110TR RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,5000 | 1,3300 | 1,2500 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF RoHS FF.
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,8700 | 1,8000 | 1,5000 | 1,3300 | 1,2500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |