IRFL9110
Symbol Micros:
TIRFL9110
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 1,1A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9110TRPBF; IRFL9110PBF-GURT; IRFL9110TRPBF-BE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: -
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
295000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,1079 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF RoHS FF.
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 650+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,4200 | 1,5200 | 1,2000 | 1,0900 | 1,0500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFL9110TRPBF
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
6650 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2350 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
Maksymalna tracona moc: | 3,1W |
Obudowa: | SOT223 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |