IRFP064NPBF

Name: TIRFP064n TIRFP064n
Brand: International Rectifier
SKU: TIRFP064n
Price: 5.680000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP064n

Obudowa: TO247

Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP064NPBF; IRFP064N;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	8mOhm
Maksymalny prąd drenu:	110A
Maksymalna tracona moc:	200W
Obudowa:	TO247
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP064N RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa

Stan magazynowy:

290 szt.

ilość szt.	1+	5+	25+	150+	300+
cena netto (PLN)	8,5200	6,7600	6,0500	5,7400	5,6800

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP064NPBF Obudowa dokładna: TO247

Magazyn zewnętrzny:

1000 szt.

ilość szt.	400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	5,6800

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP064NPBF Obudowa dokładna: TO247

Magazyn zewnętrzny:

7498 szt.

ilość szt.	25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	5,6800

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP064NPBF Obudowa dokładna: TO247

Magazyn zewnętrzny:

225 szt.

ilość szt.	5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	5,6800

Rezystancja otwartego kanału:	8mOhm
Maksymalny prąd drenu:	110A
Maksymalna tracona moc:	200W
Obudowa:	TO247
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	1+	5+	30+	60+	300+
cena netto (PLN)	7,0100	4,9000	4,0300	3,8800	3,6900