IRFP064NPBF

Name: TIRFP064n TIRFP064n
Brand: Infineon
SKU: TIRFP064n
Price: 4.000000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFP064n

Obudowa: TO247

Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP064NPBF; IRFP064N;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	8mOhm
Maksymalny prąd drenu:	110A
Maksymalna tracona moc:	200W
Obudowa:	TO247
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP064N RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa

Stan magazynowy:

85 szt.

ilość szt.	1+	5+	25+	150+	300+
cena netto (PLN)	6,8000	5,0400	4,3500	4,0500	4,0000

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP064NPBF Obudowa dokładna: TO247

Magazyn zewnetrzny:

1500 szt.

ilość szt.	400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	4,0000

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP064NPBF Obudowa dokładna: TO247

Magazyn zewnetrzny:

7739 szt.

ilość szt.	175+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	4,0000

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP064NPBF Obudowa dokładna: TO247

Magazyn zewnetrzny:

335 szt.

ilość szt.	1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	4,0000

Rezystancja otwartego kanału:	8mOhm
Maksymalny prąd drenu:	110A
Maksymalna tracona moc:	200W
Obudowa:	TO247
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	55V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	THT

Ilość szt.	1+	5+	30+	60+	300+
cena netto (PLN)	7,0100	4,9000	4,0300	3,8800	3,6900