IRFP22N50APBF Vishay

Symbol Micros: TIRFP22n50a
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247AC
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 230mOhm; 22A; 277W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP22N50APBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 230mOhm
Maksymalny prąd drenu: 22A
Maksymalna tracona moc: 277W
Obudowa: TO247AC
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP22N50A RoHS Obudowa dokładna: TO247AC karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 16,1800 12,9500 11,5600 11,2400 10,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP22N50A RoHS Obudowa dokładna: TO247AC  
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 13,6800 11,2700 10,2600 10,0300 9,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/50
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP22N50APBF Obudowa dokładna: TO247AC  
Magazyn zewnętrzny:
585 szt.
ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP22N50APBF Obudowa dokładna: TO247AC  
Magazyn zewnętrzny:
470 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 230mOhm
Maksymalny prąd drenu: 22A
Maksymalna tracona moc: 277W
Obudowa: TO247AC
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT