IRFP250PBF

Symbol Micros: TIRFP250
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 85mOhm; 30A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP250PBF; IRFP250;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP250PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
19 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 7,6500 5,6500 4,8600 4,5800 4,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/200
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
473 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
400 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP250PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
505 szt.
ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 85mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT