IRFP250M

Symbol Micros: TIRFP250m
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 75mOhm; 30A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP250MPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP250MPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 9,6800 7,4400 6,5200 6,1800 6,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/75
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250MPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 9,6800 7,4400 6,5200 6,1800 6,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250MPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
5900 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250MPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
2124 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT