IRFP250N

Symbol Micros: TIRFP250n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 75mOhm; 30A; 214W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP250NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP250N RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
22 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 7,9900 5,9000 5,0800 4,7800 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/200
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
53175 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
14685 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP250NPBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
890 szt.
ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 214W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT