IRFP3077

Symbol Micros: TIRFP3077
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077PBF; IRFP3077PBFXKMA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 200A
Maksymalna tracona moc: 340W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP3077 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 20,5300 16,4300 14,8300 14,2600 13,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP3077 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 20,5300 16,4300 14,8300 14,2600 13,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP3077PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
125 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 13,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 200A
Maksymalna tracona moc: 340W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT