IRFP3206PBF
Symbol Micros:
TIRFP3206
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 200A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3206PBF; IRFP3206;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200A |
| Maksymalna tracona moc: | 280W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP3206PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,9600 | 10,6800 | 9,7200 | 9,3600 | 9,2600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP3206PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
15440 szt.
| ilość szt. | 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP3206PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
190 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 200A |
| Maksymalna tracona moc: | 280W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |