IRFP32N50K

Symbol Micros: TIRFP32n50k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFP32N50KPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 460W
Obudowa: TO 3P
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP32N50K RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
123 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 20,5000 17,6300 16,3900 15,9100 15,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 160mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 460W
Obudowa: TO 3P
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT