IRFP3306

Symbol Micros: TIRFP3306
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 220W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3306PBF; IRFP3306TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 220W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP3306 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
69 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,1500 6,4700 5,7800 5,5300 5,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP3306PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
244 szt.
ilość szt. 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFP3306PBF Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
335 szt.
ilość szt. 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,1355
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 4,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 160A
Maksymalna tracona moc: 220W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT