IRFP350
Symbol Micros:
TIRFP350
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 300mOhm; 16A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP350PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFP350 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
71 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1000 | 6,4300 | 5,7500 | 5,5000 | 5,4000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFP350PBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnętrzny:
25 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFP350PBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4000 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFP350PBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnętrzny:
265 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,5769 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 400V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |