IRFP3710
Symbol Micros:
TIRFP3710
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3710PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP3710 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,7800 | 9,2000 | 8,1200 | 7,7100 | 7,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP3710PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
1225 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 57A |
| Maksymalna tracona moc: | 200W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |