IRFP4110
Symbol Micros:
TIRFP4110
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180A |
| Maksymalna tracona moc: | 370W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP4110PBFXKMA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
128 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 150+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 11,3100 | 9,3000 | 8,4600 | 8,1400 | 8,0800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4110PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
5275 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,0800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180A |
| Maksymalna tracona moc: | 370W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |