IRFP4227
Symbol Micros:
TIRFP4227
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 25mOhm; 65A; 330W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4227PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 65A |
| Maksymalna tracona moc: | 330W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP4227 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
35 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,2700 | 10,9300 | 9,9600 | 9,5800 | 9,4800 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4227PBF
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
790 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 25mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 65A |
| Maksymalna tracona moc: | 330W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |