IRFP4468PBF INFINEON
Symbol Micros:
TIRFP4468
Obudowa: TO247
Transistor N-Channel MOSFET; HEXFET; 100V; -/+20V; 2,6mOhm; 290A; 520W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFP4468PBF; IRFP4468PBFXKMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 290A |
| Maksymalna tracona moc: | 520W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4468PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
93980 szt.
| ilość szt. | 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6033 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4468PBF
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
1170 szt.
| ilość szt. | 5+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,6005 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFP4468PBFXKMA1
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 75+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,4164 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 290A |
| Maksymalna tracona moc: | 520W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |