IRFP450

Symbol Micros: TIRFP450
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 400mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP450PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO 3P
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP450 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P  
Stan magazynowy:
110 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 8,1800 6,4700 5,7800 5,5200 5,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/200
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP450APBF Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
850 szt.
ilość szt. 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP450PBF Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. 125+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: - Symbol producenta: IRFP450APBF Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
275 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 400mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 190W
Obudowa: TO 3P
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT