IRFP450A
Symbol Micros:
TIRFP450a
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 400mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP450APBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFP450A RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
46 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,1800 | 6,4900 | 5,8000 | 5,5500 | 5,4500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |