IRFP460BPBF

Symbol Micros: TIRFP460b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 250mOhm; 20A; 278W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP460BPBF; Podobny do IRFP460PBF; IRFP460B;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 278W
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFP460BPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 1+ 4+ 16+ 64+ 256+
cena netto (PLN) 9,5400 7,7500 6,9200 6,5400 6,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
16
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP460BPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 1+ 4+ 16+ 64+ 256+
cena netto (PLN) 9,5400 7,7500 6,9200 6,5400 6,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
16
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFP460BPBF RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
9 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 9+ 27+ 81+
cena netto (PLN) 9,5400 7,9500 7,0800 6,6100 6,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
9
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 278W
Obudowa: TO247
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT