IRFP4768
Symbol Micros:
TIRFP4768
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 17,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 93A |
| Maksymalna tracona moc: | 520W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFP4768 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
Stan magazynowy:
38 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 50+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 25,4600 | 22,8400 | 21,6800 | 21,4100 | 21,2200 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 17,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 93A |
| Maksymalna tracona moc: | 520W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 250V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |