IRFPE40
Symbol Micros:
TIRFPE40
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPE40PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFPE40 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2000 | 7,3000 | 6,5300 | 6,2400 | 6,1300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |