IRFR1010Z

Symbol Micros: TIRFR1010z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
N-MOSFET HEXFET 42A 55V 140W 0.0075Ω IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZPBF-GURT IRFR1010ZTRLPBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 7,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 42A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR1010ZTRLPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5583
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR1010ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3751
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR1010ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9965
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 7,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 42A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta