IRFR1010Z

Symbol Micros: TIRFR1010z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
N-MOSFET HEXFET 42A 55V 140W 0.0075Ω IRFR1010ZTRPBF IRFR1010ZPBF-GURT IRFR1010ZTRLPBF
Parametry
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR1010ZTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0000 6,3500 5,7400 5,4300 5,3300
Sposób pakowania:
100
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta