IRFR1018E
Symbol Micros:
TIRFR1018e
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1018EPBF; IRFR1018EPBF-GURT; IRFR1018ETRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR1018ETRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7826 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR1018ETRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1176 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 8,4mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 79A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |