IRFR1205TRLPBF
Symbol Micros:
TIRFR1205
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 27mOhm; 44A; 107W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1205TRPBF; IRFR1205PBF-GURT; IRFR1205TRLPBF IRFR1205PBF; IRFR1205;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 107W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFR1205 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
33 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 43+ | 172+ | 731+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0000 | 2,5300 | 2,0200 | 1,8300 | 1,7400 |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFR1205 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 43+ | 172+ | 731+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,0000 | 2,5300 | 2,0200 | 1,8300 | 1,7400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR1205TRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7400 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 27mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 44A |
| Maksymalna tracona moc: | 107W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |