IRFR120ZTRPBF
Symbol Micros:
TIRFR120z
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 190mOhm; 8,7A; 35W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120ZPBF; IRFR120ZTRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR120ZTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6437 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR120ZTRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt.
| ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8228 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 35W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |