IRFR220NTRPBF

Name: TIRFR220n TIRFR220n
Brand: Infineon
SKU: TIRFR220n
Price: 0.867000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR220n

Obudowa: TO252

Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	600mOhm
Maksymalny prąd drenu:	5A
Maksymalna tracona moc:	43W
Obudowa:	TO252
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	200V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r

Stan magazynowy:

470 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,1700	1,3100	1,0100	0,9110	0,8670

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252

Magazyn zewnetrzny:

68000 szt.

ilość szt.	2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,8670

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252

Magazyn zewnetrzny:

6000 szt.

ilość szt.	2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,8670

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRLPBF Obudowa dokładna: TO252

Magazyn zewnetrzny:

6000 szt.

ilość szt.	3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	1,0584

Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r

Stan magazynowy:

2000 szt.

ilość szt.	2+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	2,1700	1,3100	1,0100	0,9110	0,8670

Rezystancja otwartego kanału:	600mOhm
Maksymalny prąd drenu:	5A
Maksymalna tracona moc:	43W
Obudowa:	TO252
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	200V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	2+	10+	75+	300+	1200+
cena netto (PLN)	2,4000	1,4500	1,0800	0,9920	0,9580

Ilość szt.	1+
cena netto (PLN)	0,9580

Ilość szt.	3+	10+	50+	200+	1000+
cena netto (PLN)	1,9200	1,2600	0,9000	0,7870	0,7380