IRFR220NTRPBF

Symbol Micros: TIRFR220n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r  
Stan magazynowy:
470 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1700 1,3100 1,0100 0,9110 0,8670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
68000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRLPBF Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0584
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR220NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r  
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1700 1,3100 1,0100 0,9110 0,8670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO252
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD