IRFR220NTRPBF
Symbol Micros:
TIRFR220n
Obudowa: TO252
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 43W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTR RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
470 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,1700 | 1,3100 | 1,0100 | 0,9110 | 0,8670 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
68000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8670 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,8670 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRLPBF
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0584 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR220NTRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
2000 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,1700 | 1,3100 | 1,0100 | 0,9110 | 0,8670 |
Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 43W |
Obudowa: | TO252 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |