IRFR3411

Symbol Micros: TIRFR3411
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 32A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3411PBF; IRFR3411TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3411TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5143
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3411TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2747
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 44mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta