IRFR3707Z

Symbol Micros: TIRFR3707z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
N-MOSFET 56A 30V 50W IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF-GURT
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 56A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR3707ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
2150 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2058
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 9,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 56A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta