IRFR5305TRPBF

Symbol Micros: TIRFR5305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
55072 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/1275
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
31200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
105000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5305TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
124000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 65mOhm
Maksymalny prąd drenu: 31A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD
Opis szczegółowy

Producent: International Rectifier
Typ tranzystora: P-MOSFET
Polaryzacja: unipolarny
Rodzaj tranzystora: HEXFET
Napięcie dren-źródło: -55V
Prąd drenu: -31A
Moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Napięcie bramka-źródło: 20V
Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ
Rezystancja termiczna złącze-obudowa: 1.4K/W
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta