IRFR540Z
Symbol Micros:
TIRFR540z
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28,5mOhm; 35A; 91W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR540ZTRLPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 28,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 91W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR540Z RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,9500 | 4,5400 | 3,7600 | 3,2900 | 3,1300 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR540ZTRLPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,1300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 28,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 91W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |