IRFR5410 smd
Symbol Micros:
TIRFR5410
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 13A |
| Maksymalna tracona moc: | 66W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRFR5410TRPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 12A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410PBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRRPBF; SP001557110; SP001578112; SP001557100; SP001557118;
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
IRFR5410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
100 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 2,6500 | 1,6600 | 1,3800 | 1,2300 | 1,1500 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)