IRFR5410 smd
Symbol Micros:
TIRFR5410
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 66W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFR5410 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
203 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 450+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,9400 | 3,4600 | 2,8600 | 2,6600 | 2,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
217000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt.
ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFR5410TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,6000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 205mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 13A |
Maksymalna tracona moc: | 66W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |