IRFR5410 smd

Symbol Micros: TIRFR5410
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 205mOhm; 13A; 66W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR5410TRPBF; IRFR5410TRLPBF; IRFR5410PBF; IRFR5410PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 205mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR5410 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
203 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 450+
cena netto (PLN) 4,9400 3,4600 2,8600 2,6600 2,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
450
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
217000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
78000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFR5410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3900 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 205mOhm
Maksymalny prąd drenu: 13A
Maksymalna tracona moc: 66W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD