IRFR9024NTRPBF

Symbol Micros: TIRFR9024n c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C; IRFR9024NTRPBF; CJU12P10; IRFR9024N;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO-252
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR9024NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,4800 1,4900 1,1400 1,0300 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO-252
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD