IRFR9120PBF
Symbol Micros:
TIRFR9120
Obudowa: DPAK
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 5,6A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9120PBF; IRFR9120TRPBF; IRFR9120TRLPBF; IRFR9120PBF-GURT; IRFR9120PBF-BE3; IRFR9120TRLPBF-BE3; IRFR9120TR; IRFR9120;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,6A |
Maksymalna tracona moc: | 42W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFR9120PBF RoHS
Obudowa dokładna: DPAK
Stan magazynowy:
41 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 150+ | 750+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,4300 | 2,1700 | 1,6500 | 1,5700 | 1,4900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,6A |
Maksymalna tracona moc: | 42W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |