IRFS3006-7P
Symbol Micros:
TIRFS3006-7P
Obudowa: TO263/7
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 293A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS3006TRL7PP; IRFS3006-7PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2,1mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 293A |
Maksymalna tracona moc: | 375W |
Obudowa: | TO263/7 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3006TRL7PP
Obudowa dokładna: TO263/7
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,7991 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3006TRL7PP
Obudowa dokładna: TO263/7
Magazyn zewnetrzny:
630 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,2197 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3006TRL7PP
Obudowa dokładna: TO263/7
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0201 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2,1mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 293A |
Maksymalna tracona moc: | 375W |
Obudowa: | TO263/7 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |