IRFS3206
Symbol Micros:
TIRFS3206
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS3206PBF; IRFS3206TRRPBF; IRFS3206PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFS3206TRL RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,2900 | 7,3700 | 6,6600 | 6,3000 | 6,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3206TRRPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS3206TRRPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 210A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |