IRFS4010
Symbol Micros:
TIRFS4010
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,7mOhm; 180A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4010TRLPBF; IRFS4010PBF-GURT; IRFS4010PBF; IRFS4010TRRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS4010TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
14400 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3328 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS4010TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1180 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3606 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,7mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 180A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |