IRFS4020

Symbol Micros: TIRFS4020
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 18A 200V 100W IRFS4020TRLPBF
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 104mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4020TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
220 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0981
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4020TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7107
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 104mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD