IRFS4127
Symbol Micros:
TIRFS4127
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4127PBF; IRFS4127TRLPBF; IRFS4127PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 72A |
Maksymalna tracona moc: | 375W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFS4127TRL RoHS IRFS4127 RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,3400 | 8,2100 | 7,4200 | 7,0200 | 6,8900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS4127TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
8400 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,8900 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS4127TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,8900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 22mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 72A |
Maksymalna tracona moc: | 375W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |