IRFS4127

Symbol Micros: TIRFS4127
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4127PBF; IRFS4127TRLPBF; IRFS4127PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 22mOhm
Maksymalny prąd drenu: 72A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFS4127TRL RoHS IRFS4127 RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,3400 8,2100 7,4200 7,0200 6,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4127TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
8400 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS4127TRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 22mOhm
Maksymalny prąd drenu: 72A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD