IRFS4227
Symbol Micros:
TIRFS4227
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS4227PBF; IRFS4227TRLPBF; IRFS4227PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 26mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 62A |
Maksymalna tracona moc: | 330W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFS4227TRL RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 10,5000 | 8,6500 | 7,9500 | 7,5800 | 7,5000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS4227TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
14400 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,5000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS4227TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
390 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,5000 |
Rezystancja otwartego kanału: | 26mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 62A |
Maksymalna tracona moc: | 330W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |