IRFS52N15D
Symbol Micros:
TIRFS52N15d
Obudowa: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 150V 60A 3.8W IRFS52N15DPBF IRFS52N15DTRRP IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRRP
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,8W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS52N15DTRLP
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
| ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9881 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS52N15DTRLP
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
830 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,7379 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,8W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |