IRFS7530PBF

Symbol Micros: TIRFS7530
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 295A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS7530TRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 295A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: D2PAK
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS7530TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5379
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS7530TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnetrzny:
170 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,0312
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS7530TRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK  
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2,1mOhm
Maksymalny prąd drenu: 295A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: D2PAK
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD