IRFS7530-7PBF

Symbol Micros: TIRFS7530-7
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK/7
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 1,4mOhm; 338A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS7530-7PBF-GURT; IRFS7530TRL7PP; IRFS7530-7PPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 338A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: D2PAK/7
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS7530TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK/7  
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,1362
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS7530TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK/7  
Magazyn zewnetrzny:
1370 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,1047
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFS7530TRL7PP Obudowa dokładna: D2PAK/7  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9307
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 338A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: D2PAK/7
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD