IRFS7530-7PBF
Symbol Micros:
TIRFS7530-7
Obudowa: D2PAK/7
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 1,4mOhm; 338A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFS7530-7PBF-GURT; IRFS7530TRL7PP; IRFS7530-7PPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,4mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 338A |
Maksymalna tracona moc: | 375W |
Obudowa: | D2PAK/7 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS7530TRL7PP
Obudowa dokładna: D2PAK/7
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,1362 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS7530TRL7PP
Obudowa dokładna: D2PAK/7
Magazyn zewnetrzny:
1370 szt.
ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 6,1047 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFS7530TRL7PP
Obudowa dokładna: D2PAK/7
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. | 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,9307 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,4mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 338A |
Maksymalna tracona moc: | 375W |
Obudowa: | D2PAK/7 |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |