IRFTS9342
Symbol Micros:
TIRFTS9342
Obudowa: TSOP06
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: TECH PUBLIC
Symbol producenta: TPIRFTS9342TRPBF RoHS
Obudowa dokładna: TSOP06 t/r
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,6580 | 0,5120 | 0,4630 | 0,4480 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFTS9342TRPBF
Obudowa dokładna: TSOP06
Magazyn zewnetrzny:
522000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4480 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 66mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | TSOP06 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |