IRFU110

Symbol Micros: TIRFU110
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU110PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 540mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU110PBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,2800 1,3800 1,0200 0,9430 0,9100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Rezystancja otwartego kanału: 540mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 25W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT