IRFU110
Symbol Micros:
TIRFU110
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU110PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 540mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU110PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,2800 | 1,3800 | 1,0200 | 0,9430 | 0,9100 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU110PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2700 szt.
| ilość szt. | 600+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 540mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |