IRFU120

Symbol Micros: TIRFU120
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 7,7A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU120PBF; IRFU120PBF-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: VBsemi Symbol producenta: IRFU120PBF-VB RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 45+ 180+
cena netto (PLN) 4,0700 2,9900 2,3900 2,0700 1,9400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
45
Producent: - Symbol producenta: IRFU120PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT