IRFU120
Symbol Micros:
TIRFU120
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 7,7A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFU120PBF; IRFU120PBF-VB;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,7A |
Maksymalna tracona moc: | 42W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: VBsemi
Symbol producenta: IRFU120PBF-VB RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 45+ | 180+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 4,0700 | 2,9900 | 2,3900 | 2,0700 | 1,9400 |
Producent: -
Symbol producenta: IRFU120PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,7A |
Maksymalna tracona moc: | 42W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |