IRFU120NPBF
Symbol Micros:
TIRFU120n
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
Maksymalna tracona moc: | 48W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFU120N RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,3100 | 2,4600 | 1,8200 | 1,5600 | 1,4400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU120NPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
23550 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU120NPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3845 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4400 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU120NPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1200 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,4400 |
Rezystancja otwartego kanału: | 210mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 9,4A |
Maksymalna tracona moc: | 48W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon Technologies |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |