IRFU1N60APBF
Symbol Micros:
TIRFU1N60A
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 7Ohm; 1,4A; 36W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | IPAK |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFU1N60A RoHS
Obudowa dokładna: IPAK
Stan magazynowy:
0 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0800 | 1,2600 | 0,9360 | 0,8630 | 0,8330 |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFU1N60A RoHS
Obudowa dokładna: IPAK
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0800 | 1,2500 | 1,0400 | 0,8950 | 0,8330 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 7Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 36W |
| Obudowa: | IPAK |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |