IRFU220N
Symbol Micros:
TIRFU220n
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU220NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 43W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFU220NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 150+ | 750+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9100 | 2,4700 | 1,8800 | 1,8000 | 1,7000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU220NPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU220NPBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
555 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7938 |
Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 43W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |