IRFU220N

Symbol Micros: TIRFU220n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU220NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU220NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 150+ 750+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4700 1,8800 1,8000 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/150
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU220NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU220NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
555 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7938
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 600mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 43W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT